Dell EMC PowerEdge R650 安装和服务手册

• 每个系统的每个通道最多支持一个 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)内存模块。
  注:如果混合使用两种不同容量的 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)，则会显示 F1/F2 警告，因为不支持该配置。
• 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)可以与 RDIMM、LRDIMM 和 3DS LRDIMM 混用。
  注: 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)可以与 256 GB LRDIMM 混用。
• 不支持在通道、集成内存控制器 (iMC) 或跨插槽混用 DDR4 DIMM 类型（RDIMM、LRDIMM 和 3DS LRDIMM）。
• 不支持混合使用 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)操作模式（应用程序直接模式、内存模式）。
• 如果通道上只填充了一个 DIMM，则应该始终填充到该通道中的第一个插槽（白色插槽）。
• 如果在同一通道上填充了 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)和 DDR4 DIMM，请始终将 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)插入第二个插槽（黑色插槽）。
• 如果 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)是在内存模式下配置的，则建议的 DDR4 与 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)容量比为每个 iMC 的 1:4 到 1:16。
• 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)不能与其他容量的 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)或 NVDIMM 混用。
• 安装 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)时，不允许混合使用不同容量的 RDIMM 和 LRDIMM。
• 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)不允许使用不同容量的 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)。
• 在应用程序直接模式中配置了 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)的更高容量时，VMware ESXi 引导会花费更长的时间，这是地址范围清理 (ARS)。这是预期的情况，因为后台地址范围清理 (ARS) 将进入交叉存取组并且需要在 ESXi 上装载了 pMem 数据存储区之前先完成。
• 在应用程序直接模式 (AP) 中，可以采用对称或非对称方式填充插槽。
• 在内存模式 (MM) 中，可以对称填充插槽。
• 无论 DDR 与 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)的容量比为何，内存模式都不支持 6+1、8+1 和 12+2 配置。
• 在 VMware ESXI 环境中，如果在应用程序直接模式和内存模式之间更改了 BPS 目标，建议在创建新目标之前净化 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)。
• 在 DIMM 插槽 1 中填充 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)，除非 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS)是该通道中的唯一 DIMM，则在 DIMM 插槽 0 中进行填充。

有关支持的英特尔永久性内存 200 系列 (BPS) 配置的详细信息，请参阅《Dell EMC 英特尔永久性内存 200 系列 (BPS) 用户指南》，网址：https://www.dell.com/support/home/products/server_int/server_int_poweredge。