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Dell EMC PowerEdge R650 安装和服务手册

一般内存模块安装原则

为确保获得最佳系统性能,请在配置系统内存时遵守以下一般原则。如果系统的内存配置无法查看这些原则,系统可能无法引导、在内存配置期间停止响应,或者可能在降低内存的情况下运行。

内存总线的工作频率可以是 3200 MT/s、2933 MT/s ,具体取决于以下因素:

  • 所选的系统配置文件(例如,性能优化,或自定义[高速运转可以运行或更低])
  • 处理器支持的最大 DIMM 速度
  • 支持的最大 DIMM 速度
注:MT/s 表示 DIMM 速度 (MegaTransfers/s)。
注:故障恢复内存 - 支持非统一内存访问。

此系统支持灵活内存配置,使系统能够在任何有效芯片组结构配置中配置和运行。建议您遵循以下原则,以安装内存模块:

  • 所有 DIMM 都必须是 DDR4。
  • 基于 x4 和 x8 DRAM 的内存模块可以混用。
  • 如果安装了速度不同的内存模块,则它们将以安装的最慢内存模块速度运行。
  • 仅在安装处理器时填充内存模块插槽。
    • 对于单处理器系统,插槽 A1 至 A16 可用。
    • 对于双处理器系统,插槽 A1 至 A16 和插槽 B1 至 B16 可用。
  • 优化器模式中,DRAM 控制器会在 64 位模式下独立运行并提供优化的内存性能。
    表 1. 内存填充规则下表介绍了内存填充信息。
    处理器 配置 内存填充 内存填充信息
    单处理器 优化器(独立通道)填充顺序 A{1}、A{2}、A{3}、A{4}、A{5}、A{6}、A{7}、A{8}、A{9}、A{10}、A{11}、A{12}、A{13}、A{14}、A{15}、A{16} 允许 1、2、4、6、8、12 或 16 个 DIMM。
    双处理器(从处理器 1 开始。然后应符合处理器 1 和处理器 2 的填充方法) 优化器(独立通道)填充顺序 A{1}、B{1}、A{2}、B{2}、A{3}、B{3}、A{4}、B{4}、A{5}、B{5}、A{6}、B{6}、A{7}、B{7} A{8}、B{8}、A{9}、B{9}、A{10}、B{10}、A{11}、B{11}、A{12}、B{12}、A{13}、B{13}、A{14}、B{14}、A{15}、B{15}、A{16}、B{16} 每个系统支持 2、4、8、12、16、24 和 32 个 DIMM。
    注:优化器填充顺序与用于双处理器的 8 和 16 个 DIMM 的传统安装不同。
  • 首先填充所有带白色释放卡舌的插槽,然后填充带黑色释放卡舌的插槽。
  • 只要遵循其他内存填充规则,则不同容量的 RDIMM 内存模块可以混用。
    注:例如,8 GB 和 16 GB 内存模块可以混用。
  • 不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
  • 不平衡或奇数内存配置会导致性能损失,并且系统可能无法识别正在安装的内存模块,因此请始终使用数量相等的 DIMM 以相同方式填充各内存通道,以获得最佳性能。
  • 每个处理器支持的 RDIMM/LRDIMM 配置分别为 1、2、4、6、8、12 或 16 个 DIMM。

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