高级纠错代码 (lockstep)
高级纠错代码 (ECC) 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个 DRAM 芯片出现故障。
内存模块的安装原则如下:
- 所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。
- 安装在带有白色释放杆的内存插槽中的 DIMM 必须相同,并且相同的规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。这可确保相同 DIMM 成对匹配安装 — 例如,A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等等。
- 带有白色释放卡舌的内存插槽中安装的 DIMM 必须相同,类似规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。这可确保相同 DIMM 以匹配对安装 - 例如,A1 与 A2、A3 与 A4 等。
表 1. 高级 ECC (Lockstep)高级 ECC (Lockstep)。 处理器 | 配置 | 内存填充规则 | 内存填充信息 |
单 CPU | 高级 ECC (Lockstep) | {1,2}, {3,4} | 括号内的数字指示必须成对填充的插槽,允许奇数对。 |
双 CPU 注: 从 CPU1 开始填充循环 | 高级 ECC (Lockstep) | C1{1,2},C2{1,2},C1{3,4},C2{3,4}…. | 括号内的数字指示必须成对填充的插槽,允许奇数对。 |
注: 不支持带镜像功能的高级 ECC。