La mémoire DDR4 (double débit de données de quatrième génération) est la technologie qui succède aux mémoires DDR2 et DDR3. Plus rapide que ses prédécesseurs, elle prend en charge jusqu’à 512 Go par rapport à la capacité maximale de la mémoire DDR3 de 128 Go par DIMM. La mémoire vive dynamique synchrone DDR4 est munie d’un détrompeur différent de celui des modules SDRAM et DDR de manière à empêcher l’installation du mauvais type de mémoire dans le système.
La mémoire DDR4 nécessite une tension de 1,2 V, soit 20 % de moins que la technologie DDR3 qui nécessite une tension de 1,5 V. La mémoire DDR4 prend également en charge un nouveau mode de veille profonde qui permet à l’appareil hôte de se mettre en veille sans nécessiter d’actualiser sa mémoire. Le mode de veille profonde devrait réduire la consommation électrique en mode veille de 40 à 50 %.
Caractéristiques clés
Le tableau suivant compare les caractéristiques des mémoires DDR3 et DDR4 :
Tableau 1. DDR4 et DDR3Ce tableau décrit la comparaison entre la mémoire DDR3 et la mémoire DDR4
Fonctionnalité/Option
DDR3
DDR4
Avantages de la mémoire DDR4
Densités des puces
512 Mo-8 Go
4 Go-16 Go
Plus grandes capacités DIMM
Débits de données
800 Mo/s-2 133 Mo/s
1 600 Mo/s-3 200 Mo/s
Migration à des E/S à haut débit
Tension
1,5 V
1,2 V
Demande de réduction de l’alimentation mémoire
Standard de basse tension
Oui (DDR3L à 1,35 V)
Prévu à 1,05 V
Réductions de l’alimentation mémoire
Bancs internes
8
16
Débits de données supérieurs
Groupes de bancs (BG)
0
4
Accès en rafale plus rapide
Entrées VREF
2 —DQS et CMD/ADDR
1 — CMD/ADDR
VREFDQ interne maintenant
tck - DLL activé
300 MHz-800 MHz
667 MHz-1,6 GHz
Débits de données supérieurs
tck - DLL désactivé
10 MHz - 125 MHz (en option)
Non défini à 125 MHz
Désactivation de DLL maintenant entièrement prise en charge
Latence de lecture
AL+CL
AL+CL
Valeurs étendues
Latence d'écriture
AL+CWL
AL+CWL
Valeurs étendues
Pilote DQ (ALT)
40&Omega
48&Omega
Optimal pour les applications PtP
Bus DQ
SSTL15
POD12
Moins d’E/S, de bruit et d’alimentation
Valeurs RTT (dans &Omega)
120,60,40,30,20
240,120,80,60,48,40,34
Prise en charge de débits de données plus élevés
RTT non autorisé
Pics de LECTURE
Désactivation lors des pics de LECTURE
Facilité d’utilisation
Modes ODT
Nominal, dynamique
Nominal, dynamique, parc
Mode de contrôle supplémentaire ; modification de la valeur OTF
Contrôle ODT
Signalisation ODT requise
Signalisation ODT non requise
Facilité du contrôle ODT ; permet le routage autre qu’ODT, applications PtP
Inscription multifonction
Quatre inscriptions : 1 Défini, 3 RFU
Quatre inscriptions : 3 Défini, 1 RFU
Propose un affichage spécial supplémentaire
Type de module DIMM
RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Broches DIMM
240 (R, LR, U) ; 204 (SODIMM)
288 (R, LR, U) ; 260 (SODIMM)
RAS
ECC
CRC, parité, possibilité d’adressage, modèle de prestation mondial
Plus de fonctionnalités RAS ; amélioration de l’intégrité des données
Détails du module DDR4
Les différences entre les modules de mémoire DDR3 et DDR4 sont indiquées ci-dessous.
Différence de l’encoche du détrompeur
L’encoche du détrompeur du module DDR4 ne se trouve pas au même endroit que sur le module DDR3. Les deux encoches sont situées sur le bord d’insertion, mais sur le module DDR4 l’encoche ne se trouve pas au même niveau de façon à ne pas pouvoir l’installer sur une carte mère incompatible. Figure 1. Différences des encoches
Épaisseur supérieure
Les modules DDR4 sont légèrement plus épais que les modules DDR3 de manière à accueillir davantage de couches de signaux.Figure 2. Différence d’épaisseur
Bord incurvé
Les modules DDR4 présentent un bord incurvé pour en faciliter l’insertion et soulager les contraintes sur la carte pendant l’installation de la mémoire.Figure 3. Bord incurvé
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