Dell OptiPlex 7450 All-In-One Benutzerhandbuch

DDR4

DDR4-Speicher (Double Data Rate der vierten Generation) ist der schnellere Nachfolger der DDR2- und DDR3-Technologie und ermöglicht bis zu 512 GB Kapazität im Vergleich zu der maximalen Kapazität von 128 GB pro DIMM bei DDR3-Speicher. Synchroner DDR4-Speicher (Dynamic Random-Access) ist mit einer anderen Passung versehen als SDRAM und DDR. Damit soll verhindert werden, dass Benutzer den falschen Typ Speicher im System installieren.

DDR4 benötigt 20 Prozent weniger Volt bzw. nur 1,2 Volt im Vergleich zu DDR3, der eine Stromversorgung von 1,5 Volt für den Betrieb benötigt. DDR4 unterstützt auch einen neuen Deep-Power-Down-Modus, mit dem das Host-Gerät in den Standby-Modus wechseln kann, ohne dass der Arbeitsspeicher aktualisiert werden muss. Mit dem Deep-Power-Down-Modus soll der Stromverbrauch im Standby um 40 bis 50 Prozent reduziert werden.

Wichtige technische Daten

Die folgende Tabelle führt die technischen Daten in einem Vergleich von DDR3 und DDR4 auf:

Tabelle 1. DDR3 und DDR4 im Vergleich. In dieser Tabelle finden Sie einen Vergleich zwischen dem DDR3 und DDR4.
Merkmal/Option	DDR3	DDR4	Vorteile von DDR 4
Chipdichten	512 MB bis 8 GB	4 GB bis 16 GB	Größere DIMM-Kapazitäten
Datenübertragungsraten	800 Mb/s bis 2 133 Mb/s	1 600 Mb/s bis 3 200 Mb/s	Migration zu höherer E/A-Geschwindigkeit
Spannung	1,5 V	1,2 V	Reduzierter Speicher-Strombedarf
Niedrigspannungsstandard	Ja (DDR3L bei 1,35 V)	Voraussichtlich bei 1,05 V	Reduzierter Speicher-Stromverbrauch
Interne Bänke	8	16	Höhere Datenübertragungsraten
Bankgruppen (BG)	0	4	Schnellerer Burst-Zugriff
VREF-Eingaben	2 – DQS und CMD/ADDR	1 – CMD/ADDR	VREFDQ jetzt intern
tCK – DLL-aktiviert	300 MHz bis 800 MHz	667 MHz bis 1,6 GHz	Höhere Datenübertragungsraten
tCK – DLL-deaktiviert	10 MHz bis 125 MHz (optional)	Undefiniert bis 125 MHz	DLL-aus jetzt vollständig unterstützt
Leselatenzzeit	AL+CL	AL+CL	Erweiterte Werte
Schreiblatenzzeit	AL+CWL	AL+CWL	Erweiterte Werte
DQ Treiber (ALT)	40 &Omega	48 &Omega	Optimal für PtP Anwendungen
DQ Bus	SSTL15	POD12	Weniger E/A-Rauschen und Strom
RTT-Werte (in &Omega)	120, 60, 40, 30, 20	240, 120, 80, 60, 48, 40, 34	Unterstützung für höhere Datenübertragungsraten
RTT nicht zulässig	LESE-Bursts	Deaktiviert während LESE-Bursts	Benutzerfreundlichkeit
ODT-Modi	Nominal, Dynamisch	Nominal, Dynamisch, Park	Add'l-Steuerungsmodus; OTF-Wertänderung
ODT-Steuerung	ODT-Signal erforderlich	ODT-Signal nicht erforderlich	Einfache ODT-Steuerung; ermöglicht Nicht-ODT-Routing, PtP Apps
Mehrzweckregister	Vier Register – 1 definiert, 3 RFU	Vier Register – 3 definiert, 1 RFU	Bietet zusätzliche Sonderanzeige
DIMM-Typen	RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM	RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
DIMM-Pins	240 (R, LR, U); 204 (SODIMM)	288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS	ECC	CRC, Parität, Adressierbarkeit, GDM	Mehr RAS-Funktionen; verbesserte Datenintegrität

DDR4-Details

Es gibt feine Unterschiede zwischen DDR3- und DDR4-Speichermodulen. Diese werden unten aufgeführt.

Kerbenunterschied

Die Kerbe auf einem DDR4-Modul ist an einem anderen Ort als die Kerbe auf einem DDR3-Modul. Beide Kerben befinden sich auf der Einsetzkante, aber beim DDR4 unterscheidet sich die Position der Kerbe leicht. Dadurch soll verhindert werden, dass Module an einer inkompatiblen Platine oder Plattform installiert werden.

Abbildung 1. Kerbenunterschied Abbildung: Kerbenunterschied

Höhere Stärke

DDR4-Module sind etwas dicker als DDR3, sodass mehr Signalebenen möglich sind.

Abbildung 2. Stärkenunterschied Abbildung: Stärkenunterschied

Gebogene Kante

DDR4-Module haben eine gebogene Kante zur Unterstützung beim Einsetzen und zur Verringerung der Beanspruchung der PCB während der Arbeitsspeicherinstallation.

Abbildung 3. Gebogene Kante Abbildung: gebogene Kante

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