Passer au contenu principal
  • Passer des commandes rapidement et facilement
  • Afficher les commandes et suivre l’état de votre expédition
  • Créez et accédez à une liste de vos produits

Что такое системная память (ОЗУ)?

Résumé: Узнайте о системной памяти или оперативном запоминающем устройстве (ОЗУ). Ознакомьтесь с наглядным руководством и пояснениями по различным типам системной памяти.

Cet article concerne Cet article ne concerne pas Cet article n’est associé à aucun produit spécifique. Toutes les versions du produit ne sont pas identifiées dans cet article.

Symptômes

Оперативная память (ОЗУ) — это память компьютера, в которой хранится информация, необходимая во время выполнения той или иной программы. Оперативная память представляет собой хранилище данных, которое позволяет получать доступ к сохраненным данным в произвольном порядке, а не в последовательном. Для сравнения: другие типы запоминающих устройств (например, запоминающие устройства на магнитной ленте, диски и запоминающие устройства с магнитным барабаном) могут получать доступ к данным на носителе только в предварительно заданном порядке из-за ограничений механической конструкции.

Добавление памяти — один из самых простых и экономичных способов повышения производительности компьютера, поскольку большинство компьютеров поставляются с минимальным объемом памяти.


Типы системной памяти или ОЗУ

Ваша система Dell была произведена с использованием и поддерживает только один определенный тип ОЗУ. Системная память, поддерживаемая вашей системой, не взаимозаменяема с другими типами ОЗУ.
  • DDR-SDRAM (Double Data Rate-Synchronous DRAM)
    Это усовершенствованный тип SDRAM, который позволяет передавать вдвое больше памяти за тактовый цикл. Память DDR-SDRAM также иногда называется SDRAM II или DDRAM.
     
  • SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
    Память такого типа поставляется в комплектах SIMM и DIMM и доступна в двух конфигурациях:
    • ОЗУ без контроля четности (также называемое ОЗУ без ECC)
      Обычно дешевле, чем ОЗУ с контролем четности.
    • ОЗУ с контролем четности (также называемое ОЗУ с ECC)
      Память такого типа обычно используется в ресурсоемких приложениях (например, больших электронных таблицах и базах данных) и содержит дополнительную микросхему, которая помогает свести к минимуму ошибки, связанные с оперативной памятью.
    • Модули памяти с контролем четности и модули памяти без контроля четности обычно несовместимы друг с другом.
       
  • RDRAM (Rambus Direct RAM)
    Модули памяти RDRAM, разработанные компанией Rambus, Inc. в качестве преемника SDRAM, поставляются только в комплектах RIMM.

Информация о памяти SIMMS (ОЗУ)

Модули памяти SIMM (модули памяти с однорядным расположением выводов) — это оперативная память более старого типа. Модули SIMM — это первые карты памяти Memory Stick, которые производились массово (Рис. 1).

SLN116405_en_US__2simm
Рис. 1. Модуль память SIMM.
 
Сначала модули SIMM выпускались в виде небольших 30-контактных моделей с разрядностью 8 бит, а затем стали производить 72-контактные модули с разрядностью 32 бита. 30-контактные модули SIMM имеют длину около 9 см и высоту около 2 см, обычно с 8 громоздкими микросхемами SOJ (Small Outline J-lead). 72-контактные модули SIMM имеют длину около 10,7 см и высоту около 2,5 см, на них установлено 8–16 микросхем SOJ.

До появления модулей SIMM большинство модулей памяти устанавливалось непосредственно на системную плату, где не было пространства для модернизации. К различным типам SIMM относятся: без контроля четности, с контролем четности, с быстрым страничным доступом и с расширенным выводом (EDO).

  • Без контроля четности — только неформатированная память для временного хранения и извлечения данных.
  • Память с контролем четности обеспечивает проверку сохраненных данных на наличие ошибок, чтобы контролировать, что они не изменены и не повреждены перед использованием.
  • FPM обеспечивает более высокую производительность за счет оптимизации страничного режима доступа памяти.
  • EDO обеспечивает еще более высокую производительность, позволяя памяти одновременно выполнять операции чтения и записи.

Скорость

Скорость модулей SIMM измеряется в наносекундах (сокращенно «нс») и обычно составляет 15 нс или меньше. Обратитесь к документации по вашей системе, чтобы определить технические характеристики модулей памяти для вашей системы.


Информация о памяти DIMM (SDRAM)

Модули памяти DIMM (двухсторонний модуль памяти) стали следующим значительным улучшением технологии памяти после памяти SIMM. Модули DIMM имеют 168 контактов и поддерживают пропускную способность 64 бита, что устраняет необходимость установки модулей памяти SIMM в парах для систем Pentium. (Рис. 1) Модули DIMM имеют длину около 13,6 см и высоту около 4 см, на них установлено 8–16 небольших микросхем TSOP.

SLN116405_en_US__4dimm
Рис. 1. DIMM — 168-контактный модуль SDRAM.

SDRAM

Позднее на основе памяти DIMM была создана память SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом), ставшая производным продуктом памяти SGRAM (Synchronous Graphics RAM) — очень быстрой, но дорогой памяти видеокарты. Выпускаются модули SDRAM с кодом коррекции ошибок и без кода коррекции ошибок. Память с кодом коррекции ошибок аналогична памяти с контролем четности в том, что она проверяет наличие ошибок памяти и перехватывает их. Эта память обладает дополнительной возможностью исправления небольших ошибок, что позволяет системе продолжать работу, в то время как память с контролем четности останавливает систему сразу после обнаружения ошибки.

Скорость

Память SDRAM была синхронизирована со скоростью системной шины FSB (Front-Side Bus), что привело к 25-процентному скачку производительности. Скорость измеряется частотой в мегагерцах (МГц). Память SDRAM обычно производится как PC100 или PC133 (100 МГц и 133 МГц соответственно). Не рекомендуется комбинировать модули SDRAM PC100 и PC133. Технические характеристики вашего компьютера см. в документации по системе.


Информация о памяти RIMM (RDRAM и CRIMM)

В начале 2000 года модули RIMM ненадолго стали самой популярной памятью для систем высшего класса (Рис. 1).

SLN116405_en_US__5rimm
Рис. 1. Модуль RIMM (Rambus Inline Memory Module). Эта архитектура памяти (также известная как RDRAM), разработанная компанией Rambus, Inc, потенциально может превысить производительность DRAM на 1000%, но только после того, как скорость системной шины FSB превысит 200 МГц. Кроме того, модули RDRAM работают только в системах, предназначенных для памяти RDRAM.

Существует два типа систем Rambus. Первоначально системы поставлялись с одноканальной настройкой. В последующих системах используется двухканальная конфигурация, которая оптимизирована для повышения производительности. В двухканальных системах для оптимальной производительности требуются два одинаковых модуля RIMM на группу каналов, но системы будут работать с одной или несколькими конфигурациями со сниженной производительностью. Память RDRAM также выпускается в виде модулей с кодом коррекции ошибок и без кода коррекции ошибок.

Память с кодом коррекции ошибок аналогична памяти с контролем четности в том, что она проверяет наличие ошибок памяти и перехватывает их. Эта память обладает дополнительной возможностью исправления небольших ошибок, что позволяет системе продолжать работу, в то время как память с контролем четности останавливает систему сразу после обнаружения ошибки.

В отличие от SDRAM, память RDRAM работает в последовательной цепи, то есть все слоты памяти должны быть заполнены, чтобы цепь закрывалась, а память была доступна. Если используется только один модуль RIMM, то в другие слоты должен быть установлен модуль CRIMM (Continuity Rambus Inline Memory Module), который является модулем без памяти (Рис. 2).

SLN116405_en_US__7crimm
Рис. 2. Скорость

CRIMM

Скорость памяти RDRAM измеряется в мегагерцах, а памяти Rambus присваивается название в зависимости от скорости. Например, память RDRAM PC800 работает на частоте 800 МГц. Как и в случае с SDRAM, не рекомендуется комбинировать скорости RDRAM.

Большинство технических характеристик и функций RDRAM указаны для RDRAM PC800. Память RDRAM также выпускается в конфигурациях PC600 и PC700.

Информация о памяти DDR SDRAM

Память DDR SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — это, пожалуй, самая передовая технология памяти, доступная в настоящее время ( Рис. 1). Как и SDRAM, память DDR была создана благодаря стремительному развитию графической архитектуры и впервые была реализована в видеокарте NVIDIA GeForce256.


SLN116405_en_US__9ddr_dimm_01
Рис. 1. DIMM — 184-контактный модуль DDR-SDRAM

В отличие от SDRAM, которая выполняла операции чтения/записи при увеличении тактовой частоты каждой системы, память DDR выполняет эти операции как на восходящем, так и на нисходящем фронте каждого тактового сигнала системы, эффективно удваивая производительность памяти для еще большего увеличения общей производительности.

Скорость

Скорость измеряется в мегагерцах (МГц). Модули DDR-DSRAM доступны в широком диапазоне скоростей от 100 МГц или PC1600 до 566 МГц или PC4500 (впоследствии будут добавлены модули с более высокими скоростями).

Для получения дополнительной информации о скорости DDR-SDRAM см. статью базы знаний Dell: «Как определить скорость передачи данных или скорость модуля памяти DDR SDRAM? » 

Обзор памяти DDR2

Что такое память DDR2?

  • DDR2 SDRAM — это синхронный интерфейс динамической памяти с произвольным доступом с удвоенной скоростью передачи данных. Он пришел на смену исходной спецификации DDR SDRAM и сам в последующем был заменен на DDR3 SDRAM. Модули памяти DDR2 не совместимы с модулями DDR и DDR3 (модули имеют разный вид разъемов, чтобы предотвратить установку неправильных модулей).
  • Внутренняя тактовая частота DDR2 составляет половину от внешней тактовой частоты DDR, память DDR2 работает с той же тактовой частотой, что и память DDR, что позволяет DDR2 обеспечивать ту же пропускную способность, но с более высокой задержкой. Кроме того, если память DDR2 работает с тактовой частотой внешней шины данных, в два раза превышающей тактовую частоту DDR, то она может обеспечить удвоенную пропускную способность с такой же задержкой. Модули памяти DDR2 с лучшими показателями работают как минимум в два раза быстрее, чем модули памяти DDR с лучшими показателями.
Обзор памяти DDR3

Что такое память DDR3?

  • DDR3 — это новый этап в развитии технологий памяти, и эта память предлагает несколько улучшений по сравнению с существующей архитектурой DDR2. Основным преимуществом является увеличение скорости шины ввода-вывода, которая работает в 4 раза быстрее модулей памяти, которые она содержит. Память DDR3 также поддерживает микросхемы емкостью от 512 Мбайт до 8 Гбайт. Это позволяет использовать модули памяти объемом до 16 Гбайт.
SLN116405_en_US__111344578883970.DDR
Рис. 3. Сравнение модулей памяти для настольных ПК (DIMM). 

Поддерживаемые данные скорости шины:

  • DDR2-400/533/667/800/1066
  • DDR3-800/1066/1333/1600/1866/2133

Cause

Нет причины.

Résolution

Informations supplémentaires

Propriétés de l’article
Numéro d’article: 000148441
Type d’article: Solution
Dernière modification: 17 août 2024
Version:  7
Trouvez des réponses à vos questions auprès d’autres utilisateurs Dell
Services de support
Vérifiez si votre appareil est couvert par les services de support.